Kapaciteta: 2 TB
    Kontroler: Samsung
    NAND Flash pomnilnik: Samsung V-NAND TLC
    DRAM Cache pomnilnik: 2GB LPDDR4
    Dimenzije: 80 x 22 x 2,3 mm
    Format: M.2 (2280)
    Sekvenčno branje: 7450 MB/s
    Sekvenčno pisanje: 6900 MB/s
    Naključno branje (QD 1, nit 1): 22.000 IOPS
    Naključno pisanje (QD 1, nit 1): 80.000 IOPS
    Naključno branje (QD 32, nit 16): 1.400.000 IOPS
    Naključno pisanje (QD 32, nit 16): 1.550.000 IOPS
    Poraba energije: v mirovanju 55 mW, branje 5,8 W, pisanje 5,1 W
    Zanesljivost: TBW 1200 TB, MTBF 1,5 milijonov ur
    Podprte funkcije: TRIM, Garbage Collection, S.M.A.R.T.
    Varnost: AES 256-bit enkripcija, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive IEEE1667